Kioxia และ WD ประกาศเปิดตัวแฟลชเมมโมรี่แบบ 3 มิติ เจเนอเรชั่นที่ 6

คีอ็อกเซีย (Kioxia) และ เวสเทิร์น ดิจิตอล (Western Digital : WD) ประกาศเปิดตัวแฟลชเมมโมรี่แบบ 3 มิติ เจเนอเรชั่นที่ 6…

Kioxia และ WD ประกาศเปิดตัวแฟลชเมมโมรี่แบบ 3 มิติ เจเนอเรชั่นที่ 6

คีอ็อกเซีย คอร์ปอเรชั่น (Kioxia Corporation) และ เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ป (Western Digital) ได้ประกาศถึงความร่วมมือในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ 162 เลเยอร์ เจเนอเรชั่นที่ 6 นับเป็นก้าวสำคัญของการเป็นพันธมิตรการร่วมทุนที่ดำเนินมากว่า 20 ปีของทั้งสองบริษัท

เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติดังกล่าวนับเป็นหน่วยความจำที่มีความหนาแน่นสูงสุด และทันสมัยที่สุดในปัจจุบันที่ใช้เทคโนโลยีและนวัตกรรมการผลิตที่หลากหลาย

Kioxia และ Western Digital ได้สร้างประสิทธิภาพอันยอดเยี่ยมด้านการผลิต และการวิจัย และพัฒนาผ่านความร่วมมือที่แข็งแกร่งของเราซึ่งมีมายาวนานมากว่า 2 ทศวรรษ

มาซากิ โมโมโดมิ (Masaki Momodomi) ประธานเจ้าหน้าที่ฝ่ายเทคโนโลยีของ Kioxia กล่าวว่า เราร่วมกันผลิตจำนวนบิตของแฟลชเมมโมรี่มากกว่า 30% ของโลก และมุ่งมั่นในพันธกิจที่จะมอบขนาดความจุ ประสิทธิภาพการทำงาน ความน่าเชื่อถือของผลิตภัณฑ์ที่ยอดเยี่ยมในราคาที่คุ้มค่า

ซึ่งทั้ง 2 บริษัท ต่างก็มุ่งที่จะส่งมอบแอปพลิเคชันที่เน้นข้อมูลเป็นศูนย์กลางที่สามารถตอบสนองความต้องการของลูกค้าได้ โดยจะครอบคลุมตั้งแต่อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้ส่วนบุคคลไปจนถึงระดับดาต้าเซ็นเตอร์ ตลอดจนแอปพลิเคชันใหม่ ๆ ที่รองรับการใช้งาน 5G ระบบปัญญาประดิษฐ์และระบบออโตโนมัส

WD

มากกว่าการการปรับขนาดในแนวตั้ง : แต่เป็นสถาปัตยกรรมรูปแบบใหม่ที่นำประโยชน์ของนวัตกรรมใหม่ ๆ มาต่อยอด

กฎของมัวร์มีพูดถึงข้อจำกัดทางกายภาพของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งมีอยู่สิ่งหนึ่งที่กฎของมัวร์ยังคงมีความเกี่ยวข้องอยู่เสมอนั่นคือหน่วยความจำแบบแฟลช

ดร.ศิวะ ศิวาราม ประธานฝ่ายเทคโนโลยีและกลยุทธ์ของเวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวว่า แนวทางในการปรับขยายขนาดหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติแบบใหม่จึงมีความสำคัญต่อการเดินหน้าสานต่อความก้าวหน้าเหล่านี้และเพื่อที่จะสามารถตอบโจทย์โลกยุคนี้ที่มีต้องการข้อมูลที่เพิ่มขึ้น Kioxia และ Western Digital กำลังพัฒนา

และนำเสนอแฟลชเมมโมรี่เจเนอเรชั่นใหม่ที่ใช้นวัตกรรมในการขยายขนาดในแนวตั้ง และการขยายออกด้านข้างเพื่อให้ได้ความจุที่มากขึ้นในขนาดแผ่นวงจรที่เล็กลง และมีจำนวนชั้นน้อยลง ในที่สุดนวัตกรรมนี้ก็ได้มอบทั้งประสิทธิภาพ ความน่าเชื่อถือ และต้นทุนที่คุ้มค่าได้ตามที่ลูกค้าต้องการ

 หน่วยความจำแบบแฟลช 3 มิติ เจเนอเรชั่นที่ 6 นี้มีสถาปัตยกรรมขั้นสูงที่เหนือกว่าอาร์เรย์หน่วยเก็บข้อมูลแบบแฟลชแบบเดิมที่ใส่ได้เพียง 8 เซลล์ และให้ความหนาแน่นของอาร์เรย์เซลล์ด้านข้างมากขึ้นกว่า 10% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยีของเจเนอเรชั่นที่ 5 ความก้าวหน้าในการขยายความจุด้านข้าง

เมื่อรวมกับหน่วยความจำแนวตั้งแบบเรียงซ้อนกัน 162 เลเยอร์แล้วทำให้ขนาดแผ่นวงจรลดลงถึง 40% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยีการเรียงซ้อนแบบ 112 เลเยอร์ จึงทำให้ใช้ต้นทุนน้อยที่สุด

WD

ทีมงานของ Kioxia และ Western Digital ยังใช้การจัดวาง Circuit Under Array CMOS และการทำงานแบบสี่ระนาบซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของโปรแกรมได้เกือบ 2.4 เท่า และเวลาในการตอบสนองในการอ่านดีขึ้น 10% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า ประสิทธิภาพอินพุต/เอาต์พุต (I/O) ยังเพิ่มขึ้นถึง 66% ทำให้อินเทอร์เฟซรุ่นใหม่รองรับความต้องการในเรื่องอัตราการถ่ายโอนที่เร็วขึ้นที่เพิ่มขึ้นเรื่อย ๆ

โดยรวมแล้วเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบแฟลช 3 มิติรุ่นใหม่ช่วยลดต้นทุนต่อบิต และเพิ่มจำนวนบิตที่ผลิตต่อเวเฟอร์ได้ 70% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า Kioxia และ Western Digital ยังคงเดินหน้าขับเคลื่อนนวัตกรรมอย่างต่อเนื่องเพื่อให้แน่ใจว่าจะมีการปรับขนาดอย่างต่อเนื่องเพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้า และการใช้งานที่หลากหลาย

WD

ทั้งนี้ บริษัทต่าง ๆ ได้มีการให้รายละเอียดข้อมูลเกี่ยวกับนวัตกรรมที่เกี่ยวข้องในงาน 2021 International Solid-State Circuits Virtual Conference (ISSCC 2021) ที่จัดแสดงก่อนหน้านี้

ส่วนขยาย

* บทความเรื่องนี้น่าจะเป็นประโยชน์สำหรับการวิเคราะห์ในมุมมองที่น่าสนใจ 
** เขียน: ชลัมพ์ ศุภวาที (บรรณาธิการ และผู้สื่อข่าว) 
*** ขอขอบคุณภาพประกอบบางส่วนจาก www.freepik.com

สามารถกดติดตามข่าวสารและบทความทางด้านเทคโนโลยีของเราได้ที่  www.facebook.com/itday.in.th

Itdayleadger

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.